SRAM(statická)

 obsahuje klopné obvody (zapojení více tranzistorů > je větší)
 když se na vstupu přivede napětí tak se přiklopí a hodnota tam zůstane i po impulsu
 je rychlejší protože se do ní dá pořád přistupovat
 je dražší a používá se jako paměť vyrovnávací(CACHE)
 je větší protože je potřeba více tranzistorů na log. 0 a 1
 SDRAM
 synchronní dynamická paměť
 kombinace DRAM a SRAM(princip DRAM obsahující SRAM)
 taktována na 100 Mhz a 133 Mhz sběrnici
 umožňuje časování (s každým taktem je možné přistupovat do paměti)
 4096 obnovovacích taktů za 64ms