SDRAM
CAS Latency Time: 3 (2). Můžete zvolit hodnotu 2 nebo 3. Nastavení prodlevy před signálem CAS (Column Adress Strobe). Pokud máte kvalitní paměť jistě zvládne i nastavení 2. Jak poznáte kvalitní paměť? Na modulu je uvedeno CAS2 nebo... prostě nastavení CAS=2 zvládá :-)) P.S. špičkou v oblastí paměti je Samsung.
DRAM Timing / DRAM Speed Selection: 50(ns). Systém se táže na rychlost paměti. Platí pouze pro hodnoty pamětí EDO a FP. Novější SDRAMy (7-10ns) neberou toto nastavení v potaz - nastavte nejnižší hodnotu. Pokud máte EDO - zadejte hodnotu okoukanou z paměťových modulu. Je možné, že systém zvládne i nižší hodnotu nastavení = kratší přístupové časy - pozor však na nestabilitu.
DRAM Leadoff Timing / Write Burst: nastavuje kombinací a počet cyklů paměťové sběrnice kterou potřebuje procesor k přístupu k paměti. Nastavení nízkých hodnot sice zrychlí systém, avšak zvyšuje nároky na kvalitu paměti. Ponechte nastavení které vyplývá z hodnot LOAD SYSTEM SETUP.
DRAM Timing / DRAM Speed Selection: 50(ns). Systém se táže na rychlost paměti. Platí pouze pro hodnoty pamětí EDO a FP. Novější SDRAMy (7-10ns) neberou toto nastavení v potaz - nastavte nejnižší hodnotu. Pokud máte EDO - zadejte hodnotu okoukanou z paměťových modulu. Je možné, že systém zvládne i nižší hodnotu nastavení = kratší přístupové časy - pozor však na nestabilitu.
DRAM Leadoff Timing / Write Burst: nastavuje kombinací a počet cyklů paměťové sběrnice kterou potřebuje procesor k přístupu k paměti. Nastavení nízkých hodnot sice zrychlí systém, avšak zvyšuje nároky na kvalitu paměti. Ponechte nastavení které vyplývá z hodnot LOAD SYSTEM SETUP.
<< Home